一、Ag纳米线透明导电薄膜的研究进展与发展现状 1、本课题研究目的和意义 透明导电电极是许多电子器件如液晶显示器，触摸屏，等离子体显示器，有机发光二极管（OLED）和太阳能电池的关键部件。

在这些应用中，最常用的材料是掺杂的金属氧化物，主要是氧化铟锡（ITO。

然而，金属氧化物存在许多缺点，例如在真空条件下需要长时间的处理。

此外，金属氧化物的脆性使得它们不适合用于柔性或可弯曲的电子器件。

因此寻找一种成本低廉且优异的替代材料就显得尤为重要，而银纳米线电极被认为是替代ITO的主要候选材料。

海内外己有研究者成功的制备了AgNWs网络电极且性能良好。

例如Lim报道了用刷涂方法制备了透过率为84.84%，的银纳米线电极，Sachse报道了用浸涂方法制备了透过率为85%，的银纳米线电极等，并都将其应用在了太阳能电池中。

银纳米线透明导电薄膜与传统的透明导电膜相比，导电性和透过率较好、稳定性和弯曲性能良好、对湿度和高温呈现出较强的惰性。

银纳米线透明电极显示出与金属氧化物相当的优异导电性。

此外，由于银纳米线能够通过成本有效且可扩展的卷对卷制造而被涂覆到柔性基板上，所以银纳米线透明电极已经被适用于各种电子器件，包括有机太阳能电池，固态染料敏化太阳能电池，OLED，聚合物发光二极管和触摸屏。