1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

磁电阻效应（mr），mr是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。

其全称是磁致电阻变化效应。

[1]在大多数金属中，电阻率的变化值为正，而过渡金属和类金属合金及饱和磁体的电阻率变化值为负。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本课题将利用将根据微磁学的基本方法以及载流子跳跃和自旋极化隧穿等理论模型，对la0.3sr0.7mno3单晶中畴壁和多晶中晶界处磁畴的自旋结构及磁电阻（mr）进行系统的研究，并根据所得mr方程通过磁场退火方法对多晶la0.3sr0.7mno3磁电阻进行调控。

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研究中需要掌握磁畴结构和畴壁中的能量表达式；同时学会制备方法：化学原料溶胶凝、胶合成，马弗炉设置等。