”这是一个最好的时代也是一个最坏的时代”，身处在现在这样一个信息时代，信息量以及信息处理和传播速度的飞速增长，促使着人们不断地探索发掘更新的功能材料，以适应高密度信息存储和快速读写的需要，在此背景下，磁电阻的研究应运而生并蓬勃发展。

外磁场的作用下材料电阻发生变化的现象即为磁电阻（MR）效应[1]。

表征MR效应大小的物理量为MR比，其定义为： 其中 为磁电阻系数， 磁场为H时的电阻（率）， 为磁场为0时的电阻（率）。

根据MR效应的起源机制，MR效应可分为两类即正常MR效应（OMR）和反常MR效应。

其中，OMR效应存在于所有的磁性和非磁性材料中，它来源于磁场对载流子的Lorentz力的作用，导致其产生回旋运动，使电子碰撞几率增加，从而电阻上升。

因此OMR电阻率总是随外磁场增加而增加，且温度越低磁阻越大。

而反常MR则是铁磁体所特有的现象，目前大致有与技术磁化有关的各向异性磁电阻（AMR），磁性多层膜和颗粒膜中特有的巨磁电阻（GMR），掺杂稀土氧化物的庞磁电阻（CMR）以及隧穿磁电阻（TMR）等。

自1971年，Hnut提出可以利用铁磁金属的AMR效应来制作磁盘系统的读出磁头起，关于磁电阻效应的研究热潮就从未减退过。

1988年，Baibich等人从Fe、Cr交替沉积形成的多层膜（Fe/Cr）N（N为周期数）中发现超过50%的MR比，从而发现GMR效应，更是将这一研究推向了一个新的高度。

即便如此，从应用角度来说由于这些磁电阻只有在较高的磁场下才能显示出MR效应，且大部分材料在室温区表现出的性能并不是太好，上世纪90年代初采用的坡莫合金薄膜的AMR效应，室温MR值仅有2.5%左右，所以发展以这类材料为基础的磁电子学器件依旧面临很大的困难。