无机光耦有着抗干扰能力强工作稳定，使用寿命长，传输效率高等优点。

由a-SiC：H薄膜发光二极管和a-SiGe：H薄膜光电二极管组成的非晶光电耦合器。

氢化非晶硅锗（a-SiGe：H）薄膜是通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备而成的。

a-SiGe：H可以被应用于红外光光电二极管中的载流子产生层。

a-SiGe：H光电二极管可以在室温下运行并且对波长700-900nm的红外光响应比传统的a-Si：H光电二极管响应更大。

在190℃的衬底温度条件下，σD和σph分别为10-10和10-7S / cm的数量级。

随着H2气体比从12增加到54，σD和σph增加。

对于250℃的衬底温度，rph增加到10-5 S / cm的数量级，而σD仍然是10-9 S / cm的数量级。

TFLED中i-a-SiC：H层的光学能隙为2.36eV，发射光谱为700-900nm。

随着TFLED的注入电流密度从180mA增加到500mA / cm2，TFPD的光电流输出从0.2线性增加到1μA/ cm 2。