1. 毕业设计（论文）的内容和要求

以超薄的hfo2:al薄膜为绝缘层，以mos2为沟道层，构建场效应晶体管。

研究以具有铁电性质的hfo2:al材料为绝缘层对降低mos2基晶体管功耗的作用。

要求制备晶体管，测试性能。

2. 参考文献

1. Sameer Joglekar, Tom醩 Palacios, Nanoscale 9(18): (2017) 6122-6127. 2. Saptarshi Das, Hong-Yan Chen, Ashish Verma Penumatcha, and Joerg Appenzeller, Nano Lett., 2013, 13 (1), pp 100?05. 3. Amirhasan Nourbakhsh,?Ahmad Zubair,?Sameer Joglekar,?Mildred Dresselhaus,?Tom醩 Palacios, Nanoscale, 2017,9, 6122-6127. 4. Peng Zhao, Angelica Azcatl, Pavel Bolshakov, Jiyoung Moon, Christopher L. Hinkle, Paul K. Hurley, Robert M. Wallace, Chadwin D. Young, Materials Science and Engineering, 35 (2017) 01A118. 5. Afanas'ev, V.V., Chiappe, D., Huyghebaert, C., Radu, I., De Gendt, S., Houssa, M., Stesmans, A., Microelectron. Eng., 147 (2015) 294--297.

3. 毕业设计（论文）进程安排

2017年12月～2018年1月 熟悉课题内容，文献调研，文献翻译，开题。

2018年3月～2018年4月 实验，数据测量与分析，论文草稿。

2018年5月～2818年6月 论文定稿，答辩。