1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

近年来，由铁电场效应晶体管构成存储单元的铁电存储器，由于具有结构简单、非破坏性读出、不易挥发、功耗低、可多次反复读写、可高速大密度存储，良好的抗辐射性能以及与集成电路工艺兼容等优点，而被公认为下一代最具潜力的存了人们的广泛关注。

但是，由于铁电场效应晶体管的保持性能比较差，目前仍然没有实用化；其次，一旦铁电场效应晶体管用作铁电存储器得到实用化，铁电存储器芯片又如何克服由于集成度不断提高而带来的功耗与稳定性问题。

基于此，本论文先从铁电材料及其存储器的研究进展进行综述，包括铁电体及铁电薄膜材料的分类与物理特性、铁电存储器的发展历史、研究现状以及目前存在的主要问题，然后在此基础上我们通过理论建模与数值分析相结合的方法，重点研究了铁电场效应晶体管的负电容效应。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

研究问题 1.铁电薄膜负电容的电学性能 2.界面效应对铁电薄膜负电容电学性能的影响 3.温度对铁电薄膜负电容电学性能的影响 研究手段： 分别构建了双栅铁电场效应晶体管模型，铁电-电极界面层模型等相关模型，并结合泊松方程、电流连续性方程以及Landau#8211;Ginzburg#8211;Devonshire 理论计算双栅铁电场效应晶体管的硅表面电势与栅电压特性、栅电容与栅电压特性以及源漏电流与栅电压特性(转移特性)等相关电学量。