1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

文 献 综 述 磁电效应 表征介质磁学性质的序参量磁化强度（m）和表征介质介电性质的序参量电极化强度（p）之间存在某种耦合作用，在外加电场作用下介质内部首先会产生一定的极化强度，在某种内在物理机制作用下介质的磁学性质也会发生改变；或者在外加磁场的作用下介质内部首先产生一定的磁化强度，随之介质的电极化性质也会发生改变，以上两种现象一并称为磁电效应（magnetoelectric effect) 【1】。

正磁电效应和逆磁电效应合称磁电效应，如图1所示。

正磁电效应可用磁电系数α_e或磁电压系数α_v来表征，即： α_e=de/dh=1/cd dq/dh 式中，dh为测试时在偏置磁场h_bias基础上所叠加的一个小微扰交变磁场，de为由于样品在外加磁场诱导下极化强度发生改变而产生的微小交变电场，c为样品相应的电容，d为样品的厚度，dq为样品在磁场诱导下表面产生的感应电荷量。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

一、实验内容 1、 制备pzt/terfenol-d圆柱磁电复合材料样品； 2 、实验测定不同方向不同大小偏置磁场下的磁电效应的频率响应。

通过实验测量轴向、垂直轴向以及切向偏置磁场下pzt/terfenol-d圆柱复合磁电材料中磁电效应的频率响应，研究退磁因子对磁电效应性质的影响，并给出理论解释，从而进一步理解磁电耦合的机理。

二、实验器材及手段 利用超高频锁相放大器完成磁电效应频率响应的测定。