1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

”这是一个最好的时代也是一个最坏的时代”，身处在现在这样一个信息时代，信息量以及信息处理和传播速度的飞速增长，促使着人们不断地探索发掘更新的功能材料，以适应高密度信息存储和快速读写的需要，在此背景下，磁电阻的研究应运而生并蓬勃发展。

外磁场的作用下材料电阻发生变化的现象即为磁电阻（mr）效应[1]。

表征mr效应大小的物理量为mr比，其定义为： 其中 为磁电阻系数， 磁场为h时的电阻（率）， 为磁场为0时的电阻（率）。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

为了进一步提高磁电阻的宏观性能，本工作将基于材料基因工程的理念，利用微磁学模型和畴转模型等方法，找到晶界磁电阻、畴界磁电阻与晶界结构、畴界结构的依赖关系，以及与外磁场的依赖函数，深入了解磁电阻的微观机理。