1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

文 献 综 述 数十年来，计算机芯片完全由硅制成。

然而，随着硅技术达到其物理极限，摩尔定律正变得越来越具有挑战性。

由于严重的短沟道效应，预计硅晶体管的缩放会在5纳米的栅极长度以下失效。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

基于hfo2的铁电材料，由于与cmos制造工艺完全相容，并且其薄膜可以通过诸如原子层沉积（ald）的标准沉积技术来获得，因此可以容易集成到晶体管结构中。

基于hfo2的栅介质已经被广泛用于具有定义良好的ald处理技术的cmos应用中，并且被用于当前的技术节点中。

另外，在具有各种掺杂剂（例如稀土，硅和铝掺杂剂）的hfo2系统的薄膜中已经证明了强烈的铁电性。