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应变作用下多层MoS2光学性质的第一性原理研究任务书

 2020-02-20 17:59:11  

1. 毕业设计(论文)主要内容:

带隙不为零过渡金属硫族化合物(transitionmetal dichalcogenides,TMDs)与石墨烯等无带隙的二维材料相比具有许多独特的性质,如高电子迁移率和发光效率。特别的,当薄膜厚度为单层时,TMDs为直接带隙半导体,MoS2便是其中的典型代表。目前对MoS2研究主要集中在单层和电子结构,对于多层和光学性质的研究并不完善,特别是应变作用下的光学性质。所以本项研究从第一性原理出发,利用MaterialStudio(MS)软件,对不同应变下多层MoS2的光学性质进行仿真,研究光学性质随厚度变化和应变变化的趋势。

2. 毕业设计(论文)主要任务及要求

设计(论文)完成的主要任务:

1.熟悉ms软件的使用,阅读文献并掌握第一性原理计算的相关知识

2.利用ms构建多层mos2的几何模型,设置参数对其进行几何优化并计算折射率和介电常数

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3. 毕业设计(论文)完成任务的计划与安排

第7学期:完成选题和布置任务

第8学期:

第1-3周:查阅相关文献资料,明确研究内容,了解所需软件的计算原理。确定方案,完成开题报告

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4. 主要参考文献

[1] car r, parrinello m. unified approach for molecular dynamics anddensity-functional theory[j]. physical review letters, 1985, 55(22): 2471-2474.

[2] setyawan w, curtarolo s.high-throughput electronic band structure calculations: challenges and tools[j].computational materials science, 2010, 49(2): 299-312.

[3] scalise e, houssa m, pourtoisg, et al. strain-induced semiconductor to metal transition in thetwo-dimensional honeycomb structure of mos2[j]. nano research, 2012,5(1): 43-48.

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