1. 毕业设计（论文）主要内容：

碲化镉（cdte）是一种广泛应用的直接带隙半导体材料，理想的cdte晶体应具有闪锌矿型晶格结构，但实际cdte材料中不可避免地存在各种类型的缺陷，使得晶体内部结构的完整性遭到不同程度的破坏。

缺陷改变了材料的电子结构，从而对材料及器件的光学和电学特性产生显著的影响。

本设计将通过拉曼光谱设备对cdte中位错缺陷进行光谱成像，探讨位错缺陷周围光生载流子的扩散与复合，通过缺陷行为观测探讨缺陷对cdte材料性能的影响。

2. 毕业设计（论文）主要任务及要求

1、查阅不少于15篇的相关资料，其中英文文献不少于3篇，完成开题报告。
2、了解并熟悉Raman光谱仪的应用及测试原理。
3、对CdTe样品完成PL测试和Raman测试等。
4、完成不少于5000汉字的英文文献翻译。
5、完成不少于12000字的毕业论文。

3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排

R第1－3周：查阅相关文献资料，明确研究内容，了解研究所需文献。确定方案，完成开题报告。
第4－6周：查阅参考文献，掌握Raman光谱仪的工作原理和操作步骤。
第7－11周：CdTe样品的PL测试和Raman测试等。
第12-13周：整理实验数据，数据分析与处理。
第14－15周：完成并修改毕业论文。
第16周：准备论文答辩。

4. 主要参考文献

[1]吕恒，胡昌奎，砷化镓中广延缺陷的光致发光研究[j]，人工晶体学报，2018,47(8):1529-1534.
[2]gfroerer t f, zhang y, wanlass m w. an extended defect as a sensor for free carrier diffusion in a semiconductor[j]. applied physics letters, 2013, 102( 1) : 012114.