透明电极作为众多光电器件的关键组成部分，其优异的光电性能和透光性能一直是该领域研究的热点。

银纳米结构，例如银纳米线和银纳米颗粒，由于其独特的物理化学性质，例如高的导电性和优异的光学透射率，在制备高性能透明电极方面展现出巨大的潜力。

逾渗理论作为研究无序体系中相变和输运行为的有效工具，为理解和优化银纳米结构透明电极的性能提供了理论框架。

本文综述了近年来基于银纳米结构透明电极的逾渗理论研究进展。

首先，介绍了透明电极的基本概念、银纳米结构的制备方法及其在透明电极中的应用，以及逾渗理论的基本原理。

其次，重点阐述了银纳米结构薄膜的逾渗行为，探讨了影响逾渗阈值的关键因素，如纳米结构的尺寸、形貌、浓度和排列方式等。

此外，还介绍了基于逾渗理论的透明电极性能优化策略，包括调控纳米结构的形貌、尺寸和排列，以及构建三维网络结构等。

最后，对该领域未来的发展方向和挑战进行了展望。

关键词：透明电极；银纳米结构；逾渗理论；光电性能；纳米材料

透明导电薄膜(TransparentConductiveFilms,TCFs)因其兼具高透光率和高导电性的特性，在光电器件领域应用广泛，例如太阳能电池、液晶显示器、触摸屏等[1]。