1. 毕业设计（论文）主要内容：

相变存储技术以其非易失性、写入速度快等性能优势，有望成为新一代存储技术。目前研究较多的相变材料GeTe、Sb2Te3、Ge2Sb2Te5等在写入功率、热稳定性等方面的性能扔有待提高。最近几年锡硒化合物由于其优异的相变转化速度及电阻比等，引起关注；针对Sn2Se3、SnSe2等进行了相变性质相关的研究工作。上海微系所通过Al、Cu掺杂的方式分别研究了Sn₂Se₃、SnSe₂的相变存储特性，发现在相变速度、能耗等方面得到显著提高。本课题拟采用磁控溅射的方法制备过渡金属如Zn、Ti等掺杂的Sn₂Se₃薄膜，研究并优化薄膜材料的制备工艺。利用X射线电子能谱分析仪、SEM、四探针电阻测试仪等设备，研究过渡金属掺杂掺杂对材料的微结构、电学性质等方面的改变；并尝试不同浓度过渡金属掺杂对材料产生的电性能影响。

2. 毕业设计（论文）主要任务及要求

1. 阅读相变存储材料的制备与研究方面的相关文献（不少于15篇，其中英文不少于5篇），并翻译其中一篇英文文献（不少于5000字）。

2. 独立完成开题报告，并提交文献综述报告（不少于3000字；参考文献不少于10篇，其中外文不少于5篇）。

3. 熟悉磁控溅射仪的使用，准备溅射材料，调试制备工艺，制备薄膜样品。

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   3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排

   第1-3周：查阅相关文献资料，明确研究内容，准备实验原材料以及熟悉制备和测试设备。完成开题报告。

   第4-6周： 熟悉实验仪器的使用，准备实验材料。

   第7-10周：制备实验样品，测试薄膜微结构，调整实验工艺

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   4. 主要参考文献

   1. chung k m, wamwangi d, woda m, et al. investigation of snse, snse2, and sn2se3 alloys for phase change memory applications[j]. journal of applied physics, 2008, 103(8):504.

   2. you h, hu y, zhu x, et al. improved thermaland optical properties of al-doped sn 2 se 3, phase change material[j]. journalof materials science materials in electronics, 2016:1.

   3. wang g, nie q, shen x, et al. advantages of zn1.25 sb 2 te 3, material for phase change memory[j]. materials letters, 2012,87(22):135.

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