1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

cvd法制备大尺寸单层mos2 一、二硫化钼（mos2）薄膜的研究进展与现状 自2004年曼彻斯特大学的两位物理学家德烈#183;盖姆(andre geim)和康斯坦丁#183;诺沃肖罗夫(konstantin novoselov)成功剥离出石墨烯以来，在很长一段时间里，石墨烯以其优异的电学、光学、力学等特性而在锂离子电池、传感器等方面获得了大量的应用[1]。

然而，石墨烯不属于半导体，不存在带隙，使得其在电子、光电子器件方面的应用受到了极大的限制，且其高额的价格也严重限制了石墨烯在各个领域的应用发展。

因此，科学家们开始研究新的可以代替石墨烯的二维材料，目前，以过渡金属二硫化物（transition metal dichalcogenide, tmds）如二硫化钼（mos2）、二硫化钨（ws2）等为代表的新型类石墨烯材料正在成为各领域科学家们的研究热点。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本论文主要在阅读大量文献的基础上，通过实验分析研究cvd法制备大尺寸单层mos2，包括的内容如下： （一）探索影响大尺寸单层mos2制备的因素 化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：（1）形成挥发物质；（2）把反应前驱体转移到沉积区域；(3)在固体上产生化学反应并产生固态物质。

因此从这三个方面入手，探究影响mos2制备的因素。

首先是前驱体的选择，用cvd法制备mos2薄膜，钼前驱体有mo，moo3，mocl5，mo(co)6；硫前驱体有s，h2s，c2h6s2（前驱体基本性质如下图）[2]。