MOS晶体管的电学特性研究与报警电路设计开题报告
2020-04-29 19:05:25
1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
mos晶体管的电学特性研究与报警电路设计 一、金属-氧化物-半导体场效应晶体管（mosfet）技术发展及其障碍 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（mosfet）是微处理器和半导体储存器这样一类超大规模集成电路中最重要的器件。
自上世纪起mos晶体管在集成电路中的应用使得我们进入大规模集成电路时代，随着技术的不断发展，到如今我们已经实现了超大规模集成电路（vlsi）的广泛应用。
而在现今信息产业的快速发展的背景下，各种现代化设备对于集成电路的规模要求也越来越高。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
研究MOSFET的电学特性研究并设计一个报警电路，采用实验手段解决
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