1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

一 、课题研究意义和研究现状以及领域内发展 高集成电路的功耗很大程度上依赖场效应晶体管的性能，为了进一步降低功耗，缩小器件尺寸，从而降低每个晶体管的成本，必须降低工作电压。

并且随着各种器件的缩小，传统sio2栅介质材料由于不可接受的隧穿漏电流和本身可靠性的问题，导致其继续作为栅介质材料的物理应用达到了极限。

然而高介电常数材料能够克服传统材料中的缺点，成为了近年来的研究热门。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

研究或解决的问题：利用pld技术制备系列hfo2基介电薄膜，通过金属离子掺杂、等离子掺杂等技术调控hfo2基薄膜电学参数，使其适用于ncfet的绝缘栅层。

并结合理论研究结论，探寻最佳工艺参数窗口。

研究手段：1、应当开展hfo2基薄膜脉冲激光沉淀技术的生长研究2、通过改变金属元素的含量，调整配比，探索主要工艺参数（氧分压和衬底温度）对薄膜结构和电学性能的影响，在优化工艺的基础上，探索掺杂对薄膜的影响。