为适应低压低功耗应用的需要 ,提出了一种高性能低压差(LDO) 线性稳压器。

通过改进稳压器的电路结构和版图设计 ,引入高精度电路微调技术和完善的过热、过流和过压保护功能 ,稳压器性能得到了明显的改善 。

Spectre 仿真结果表明 , 设计构成的 LDO 输出电流典型值达到3 . 0 A ,最低压差可达 1 . 3 V ,电压调整率为 0 . 015 % ,负载调整率为 0 . 05 %。

电路的主要性能均已达到设计目标 ,可在 4μm 700 MHz 双极工艺下实现。

传统线性稳压器的输出电压通常比输入电压至少低 2. 5～3 V[ 1 ] 。

这一压差除导致芯片承受的功耗增大外 ,亦使其难以适应低电源电压工作条件下的应用。

低压差线性稳压器 LDO 可以做到输出电压仅稍低于输入电压。

由于在上述两个关键技术问题上的优势 ,LDO 作为新一代集成电路稳压器 ,在各种便携式电子产品和以电池为动力的系统 ,包括微处理器电源、电池充电电路、手机与各种 PDA 产品 ,以及数码相机等场合 ,获得了广泛的应用。

为此 ,世界许多著名半导体厂商均投入巨资对其进行研发和改进。

CMOS 型的 LDO 线性稳压器也正在发展中。