文 献 综 述

1 分子层沉积技术

分子层沉积（Molecular Layer Deposition, MLD）是以任意的有机或有机和金属前驱体进行的连续自限制反应^[1,2]。分子层沉积和原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）的区别在于，在一个连续的反应过程中，反应接合上去的是一个分子片段。MLD技术最初是为沉积的有机聚酰亚胺^[3,4]和聚酰胺^[5,6]聚合物薄膜的来定义的。聚硫^[7]和硫醇-烯^[8]聚合物也可以使用MLD技术来生长。此外，还可以用有机和金属前驱体组合沉积杂化的有机-无机薄膜^[9-11]。金属前驱体和有机二醇或三醇反应生成金属醇聚合物薄膜，这就是”金属烷氧基”^[12]。

1.1 分子层沉积技术原理

同ALD技术原理类似，通常一个生长循环由四个步骤组成：1）第一前驱体的吸附；2）反应腔的清扫；3）第二前驱体的吸附；4）反应腔的进一步清扫^[13]。根据所需要的膜的厚度，进行重复的周期生长。一个典型的周期一般一次沉积~1 Aring;。反应循环时间取决于反应器的设计。本文使用四氯化钛（Titanium tetrachloride, TiCl₄）和乙二醇（Ethylene Glycol, EG）为前驱体通过MLD技术沉积有机钛，其原理图如图1。

图1 以TiCl₄和EG制备有机钛的MLD方法

1.2 分子层沉积特点

同ALD技术类似，MLD技术也是一个连续的自限制反应过程。具有以下特点：

l 对基材具有良好的保形性^{[1] [14]}；

l 反应物流量的变化对反应结果无影响，只需保证基材饱和吸附即可^[2]；