1. 毕业设计（论文）的内容和要求

二维过渡金属硫化物因其具有特殊的能带结构、半导体或超导性质以及优秀的机械性能等，在纳米电子器件和光电子学等诸多领域具有广阔的应用前景，引起了广大研究者们的兴趣和关注，成为了近年来低维功能材料领域研究的热点。二维二硫化钼(sns₂)具有类似与石墨烯的六方晶系层状结构，单层sns₂包含1个sn原子层, sn原子层和2个s原子层形成三明治夹层结构。层内sn-s和sn-sn之间是强的共价键结合，而层间s-s之间是弱的范德华力结合。二维sns薄膜是宽禁带半导体,直接光学带隙为2.0－3.5ev, 具备适合的禁带宽度、光透过率大、价格成本低廉和环保无害等特质。在薄膜太阳电池、光电转换、气敏传感器等领域已经受到广泛关注。

本毕业设计论文主要是在密度泛函理论基础上, 利用量子化学、分子图形学和量子化学计算软件程序vasp 、p4vasp、vesta等计算研究少层sns₂薄膜的微观几何结构、电子结构、电荷分布、电子能态以及w掺杂调控对sns₂薄膜性能的调控。系统研究不同w掺杂的sns₂薄膜对nh₃,h₂s吸附性能,寻找最有效的w掺杂对nh₃,h₂s气体的最佳选择性。从而为基于w掺杂的sns₂薄膜器件的设计和研发提供一定的理论依据和支撑。

具体研究内容如下：

2. 参考文献

1) Colloidal Synthesis of 1T-WS2 and 2H-WS2 Nanosheets: Applications for Photocatalytic Hydrogen Evolution，J. Am. Chem. Soc. 2014, 136, 14121#8722;14127

First principles calculations of the density of states and the optical absorption coefficients of W-doped SnS2,J. Phys. D: Appl. Phys. 48 (2015) 355106

3. 毕业设计（论文）进程安排

起讫日期	设计（论文）各阶段工作内容	备 注
2017，12，1～ 2017，12，23	选定题目，明确论文进程，做好论文开题准备
2017,12,23 ～ 2017，12，31	查阅相关文献资料、确立研究方案
2018，01，01 ～ 2018，01，12	完成外文翻译、文献综述，开题报告和开题论证等工作
2018，03，1 ～ 2018，03，15	进行初步的计算实验练习，学习相关的计算软件程序操作及相关的计算理论和计算模型的理解应用
2018，03，16 ～ 2018，04，15	根据课题要求构建计算模型，进行具体、精确的计算实验操作，以便得到预期的结果数据
2018，04，16～ 2018，05，10	根据所掌握的理论知识，对计算数据结果进行解读、处理和分析。
2018，05，11 ～ 2018，06，2	根据数据和结果分析，完成毕业论文写作、修改和定稿
2018，06，03 ～ 2018，06，13	完成毕业论文答辩
2018，06，14 ～ 2018，07，06	完成毕业论文的分析、总结、评优、收集、整理和归档、备案等工作