1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

1. 序言

化学机械抛光液（chemical mechanical polishing，简直cmp）技术是机械削磨和化学腐蚀的组合技术，它借助超微粒子的研磨作用以及浆料的化学腐蚀作用在被研磨的介质表面（如单晶硅片（wafer）、集成电路（ic）上氧化物薄膜、金属薄膜等）上形成光洁平坦平面^【1.2】，现已成为半导体加工行业的主导技术^【3～6】。cmp技术综合了化学和机械抛光的优势。单纯的化学抛光抛光速率较快表面光洁度高、损伤低、完美性好，但其表面平整度、平行度较差，抛光一致性也较差；单纯机械抛光一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。应用cmp技术既可以得到高的抛光速率，又能获得完美的表面，其平整度比其他方法高出多个数量级。用这种方法可以真正实现整个硅晶圆片表面平面化，而且具有加工方法简单、加工成本低等优点，是目前唯一能够提供大规模集成电路（lsi）、超大规模集成电路（vlsi） 和甚大规模集成电路（ulsi）制造过程中全局平坦化的一种新技术。

cmp 化学机械抛光示意图

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

一． 本课题要研究或解决的问题：

对sio₂cmp浆料制备过程中的影响因素及制得的浆料性能进行研究。找到一种好的配方以配制出sio₂cmp。

二．拟采用的研究手段：