1. 研究目的与意义及国内外研究现状

在mosfet与igbt的应用普及的现在，在不少特殊器件设计中经常会应用到mosfet与igbt。本文就mosfet与igbt的驱动电路设计进行了深入研究，介绍了mosfet与igbt对于驱动电路的具体要求以及使用较为广泛的驱动方案，并对几类常用的mosfet与igbt驱动电路的各方面优缺点进行比较，再进一步的根据实验的具体要求对几种驱动方式进行选择最优方案。最后对选择方案具体实施并对应具体电路的驱动电路的工作原理与关键元件的工作进行简要分析。

国内外研究现状

现如今mosfet与igbt驱动电路设计使用时主要是考虑他们的一些主要参数与所设计驱动电路的驱动能力来确定所用的设计方案与驱动芯片。

现在主流的mosfet驱动的方式主要分为不隔离的互补驱动与隔离的驱动；而igbt驱动电路一般为分立元件驱动电路，广电耦合驱动电路，厚膜驱动电路与集成驱动电路几类。

2. 研究的基本内容

设计igbt与mosfet驱动电路主要是研究以下几点：

（1）查阅相关资料了解igbt与mosfet的相关特性与其对驱动大致要求

（2）了解如今使用较多的驱动电路与驱动芯片种类

3. 实施方案、进度安排及预期效果

（1）实行方案：mosfet驱动电路选择以fan3224tmx芯片为主要核心的带隔离的变压器耦合电路，由于所驱动的电路为一个全桥所以在具体方案中我们采用的是一个双端点变压器；而igbt驱动电路中我们选择是apcl-337j芯片为核心的驱动电路。

（2）进度：2月~3月：资料的收集，决定初步驱动电路设计；

3月~4月：硬件的模拟调试，样机的制作；

4. 参考文献

（1）laszlo balogh. dcsign and application guidc for high spccd mosfft gatc drivc circuits[z].tcxas lnstru-mcnts.2002.

（2）jamic dunn.mosfet驱动器与mosff的匹配设计[z].microchip hcchnology inc. 2006

（3） 潘武略，徐政，张静等. 电压源换流器型直流输电换流器损耗分析[j].中国电机工程学报，2008, 28(21): 7-14.