1.1 单片机的发展

第一阶段（1974年）：单片机初级阶段由于技术限制，单片机采用双片的形式，而且功能比较简单，如仙童公司的F8实际上只包含了8位CPU、64字节RAM和2个并行I/O端口，因此，还需加一块3851（由1K ROM、定时/计数器和2个并行I/O端口构成）形成一台完整微型计算机。

第二阶段（1976年）：低性能单片机阶段。以Intel 公司的MCS-48为列，采用了单片整体结构。即在一块芯片包含8位CPU、并行I/O口、8位定时/计数器、RAM和ROM等等，但无串行I/O口，中断处理也比较简单，片内RAM和ROM容量较小，其寻址范围有限，通常不超过4K字节。

第三阶段（1978年）：高性能单片机阶段。这种单片机带有串行I/O，有多极中断处理，定时/计数器为16位，片内的RAM和ROM相对增加，有64K址范围，带有A/D转换接口。这类单片机有Intel 公司的MCS-51，Motorola公司的6801等。因为这类单片机应用的领域宽，目前还在不断持续的改进和发展着。

第四阶段（1982年）：16位单片机阶段。16位单片机除了CPU 16位外，RAM和ROM容量进一步增大，实时处理的能力变得更加的强大。如Intel 公司的MCS-96，其集成120000管子/片， 12MHZ振幅，片内RAM为232字节，ROM为8K字节，8级中断处理，而且含有多通道10位A/D转换和高速输入/输出部件（HSIO），实时处理的能力是很强的。

1.2单片机现阶段发展的现状和发展趋势

1.低功耗CMOS化

MCS-51系列8031推出功耗达630mW，而现在的单片机普遍都在100mW左右，随着对单片机功耗要求越来越低，现在的各个单片机制造商基本都采用了CMOS(互补金属氧化物半导体工艺)。像80C51就采用了HMOS(即高密度金属氧化物半导体工艺)和CHMOS(互补高密度金属氧化物半导体工艺)。CMOS虽然功耗较低，但由于其物理特征决定其工作速度不够高，而CHMOS则具备了高速和低功耗的特点，这些特征，更适合于在要求低功耗象电池供电的应用场合。所以这种工艺将是今后一段时期单片机发展的主要途径。

2.微型单片化

现在常规的单片机普遍都是将中央处理器(CPU)、随机存取数据存储(RAM)、只读程序存储器(ROM)、并行和串行通信接口，中断系统、定时电路、时钟电路集成在一块单一的芯片上，增强型的单片机集成了如A/D转换器、PMW(脉宽调制电路)、WDT(看门狗)、有些单片机将LCD(液晶)驱动电路都集成在单一的芯片上，这样单片机包含的单元电路就更多，功能就越强大。甚至单片机厂商还可以根据用户的要求量身定做，制造出具有自己特色的单片机芯片。