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1. 研究目的与意义及国内外研究现状

忆阻器是一个基本的无源二端元件，一直被视为第四个理想电路的基本元素。1971年，华裔科学家蔡少棠教授提出忆阻器的概念[1]，直到2008年，惠普(hp)的研究人员才宣布了固态的实现[2]。忆阻器有一种独特的能力来记忆所传递的电荷量，由于其在计算机、模拟电路、神经网络等方面的潜在应用，忆阻器引起了人们的极大关注，并在相关领域得到了广泛研究[3-5]。

混沌是存在于非线性系统中的一种比较特殊的运动状态。混沌行为是由确定系统产生的一种类似随机运动的行为，对初始值极度敏感并且高度依赖。近年来，混沌现象及其应用逐渐成为一个研究热点。人们对其在电子工程、生物工程、通讯工程、经济学等领域进行了广泛的研究[6-10]。非线性电路是研究混沌行为的一个有效方法，其中最典型的就是蔡氏电路。

在非线性电路中，蔡氏电路是迄今为止产生复杂动力学行为的最有效和最简单的电路之一。它是一个物理结构及数学莫信都相对简单的混沌系统，可以表现出标准的混沌理论行为，是一个“混沌系统的典范”。对蔡氏电路的研究有助于理解混沌的演化过程及其相关特性。通过数值计算对混沌行为的时空演化进行描述是研究混沌的一种重要方法。

2. 研究的基本内容

本文主要研究了一类含忆阻器的蔡氏电路系统的滑模控制问题。通过对忆阻器的特点的结合，建立了具有非线性输入的非确定忆阻蔡氏电路系统模型，并提出了鲁棒自适应滑模控制(SMC)方案。最后，通过Matlab/Simulink进行仿真分析。

3. 实施方案、进度安排及预期效果

实行方案：经严格理论推导，给出滑模控制算法，实现蔡氏电路系统滑模控制问题研究。

进度：

4. 参考文献

[1] l.chua,memristor-the missing circuit element,ieeetrans.circuits theory 18 (1971) 507–519 .

[2] j.m.tour,t.he,electronics:the fourth element, nature 453(2008) 42–43 .

[3]胡小方. 基于忆阻器的非易失性存储器研究[d].西南大学,2012.