文献综述 电磁场变化产生的洛伦兹力作用,产生了磁阻效应。

跟霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力产生的。

达到稳态时，某个速度的载流子它受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集然后产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，相反则向洛伦兹力方向偏转。

这种偏转导致了载流子的漂移路径增加。

也可以认为，沿外加电场方向运动的载流子数减少了，从而使电阻增加。

这种现象称为磁阻效应。

磁电阻通常表示为： 公式中， R(H) R(0)分别为零场和磁场下的电阻 [1]。

在合金、金属、半导体等非磁性材料中，差不多都存在着磁电阻效应。

因为在外磁场的作用下，传导电子发生偏转，作回转运动，散射截面增大，样品的电阻增大，从而具有正的磁电阻效应。

随着现代信息技术迅猛地发展，人们对器件的小型化、轻薄化、灵敏度以及低功耗等方面有了更高的要求。