一 、课题研究的意义和现状 霍尔效应，定义了磁场和感应电压之间的关系，，当电流通过一个位于磁场中的导体时，磁场会对导体中的电子产生一个垂直于电子运动方向上的作用力，从而在导体的两端产生电压差。

自1879年霍尔效应被发现，霍尔效应在半导体材料中有着广泛的应用。

众所周知，在各类半导体器件和集成电路中，对半导体材料的上述诸多特性的了解和控制是十分重要的。

所以，己开发了许多测量和分析半导体材料特性的仪器和设备。

在半导体材料中，霍尔效应比在金属中大几个数量级，引起了人们对它的深入研究，到现在，霍尔效应的测量仍然是研究半导体性质的重要试验方法。

利用霍尔效应，可以确定半导体的导电类型和载流子浓度，利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以进一步确定半导体的导电机构（本征导电和杂质导电）和散射机构（晶格散射和杂质散射），进一步确定半导体的迁移率、禁带宽度、杂质电离能等基本参数。

测量霍尔系数随温度的变化，可以确定半导体的、杂质电离能等基本参数。

测量霍尔系数随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度特性。

如今市场上有许多根据霍尔效应原理制成的霍尔元件，它们可以用于磁场和功率的测量，也可以制成开关元件，这些元件在自动控制和信息处理等方面有着广泛的应用。

二、实验原理 霍尔效应：霍尔效应本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力的作用而引起的带电粒子的偏转。