1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

一 、课题研究的意义和现状 霍尔效应，定义了磁场和感应电压之间的关系，，当电流通过一个位于磁场中的导体时，磁场会对导体中的电子产生一个垂直于电子运动方向上的作用力，从而在导体的两端产生电压差。

自1879年霍尔效应被发现，霍尔效应在半导体材料中有着广泛的应用。

众所周知，在各类半导体器件和集成电路中，对半导体材料的上述诸多特性的了解和控制是十分重要的。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

研究或解决的问题： 霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。

半导体本身会因为温度的变化导致参数的变化，霍尔元件是由半导体材料制作，所以霍尔元件的相关参数会出现随着外界温度的变化而变化。

本课题研究霍尔元件霍尔系数随温度的变化关系，还可以确定其他半导体特性参数的温度特性等。