1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

一 、国内外研究现状及其发展

随着微电子技术和产业的发展，微电子器件日益小型化和集成化。因此高性能的电容器在微电子器件中有着广泛的应用前景。电容器以单位体积电容量大、体积小、重量轻、价廉而著称，在各种电子电路中被广泛用于低频滤波、音频耦合、隔直流、储能等，属于大量使用的、不可取代的电子元件之一[1]。近年来随着国际信息产业的飞速发展，显示器、电源供应市场、主板更新、汽车电子的促进都给电容器市场注入了新的活力。科学技术的发展使电容器的应用领域也在不断地拓宽。可以预见，电容器的生产与销售在今后相当长的时间内不仅不会萎缩，反而将具有更强的生命力和更广阔的发展空间。为适应电子整机不断向小型化、高密度组装化方向迅速发展，将进一步缩小电容器体积，提高比容，延长寿命，降低等效串联电阻[6]。

现代电子技术的进步，由于电子设备小型化及环保需求的不断推进，性能优越且环境友好的高性能的电容器元件的研制与应用势在必行。工业生产系统的规模越来越大、越来越发杂化，生产工艺对电容器的可靠性、稳定性、实用性等发面的要求越来越高。电子元器件在当今飞速发展的高新技术领域发挥着越来越重要的作用，应用领域不断拓展。这就对电子元器件的性能和使用范围提出了更高的要求。而电子元器件中电容器的使用非常普遍，电容器介电温谱特性是电容器的重要性质，对电容器的性能起着至关重要的作用，因此对不同类型电容器的介电温谱特性的研究具有相当重大的意义，通过该课题的研究，将更好的把握不同电容器的新特点和新发展[3]。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

介电温谱是研究电容器介质介电行为最常用的手段之一，本毕业设计要进行的课题是在交变电场作用下，根据电介质有弛豫现象，电介质的电容率是与电场频率相关的，从而用描述这种关系的德拜方程进行研究。因为温度对弛豫极化有影响，因此也影响到介质损耗功率P w 、介电常数εr 、损耗角正切tanδ的变化。具体情况结合德拜方程分析。本课题将采用LCR 数字电桥和变温试验箱，进行电容器介电频谱的测量，可同时自动获得主参数电容量（C ）和辅参数损耗角正切值（D ）或品质因子（Q ），研究这些参数在不同温度下的变化规律 ，从而得到电容器介电温谱的特性规律。最后完成对不同类型商用电容器的介电温谱特性的测量和研究。