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1. 研究目的与意义及国内外研究现状

algan/gan hemt作为高频大功率器件,功率特性至关重要。输出功率,是衡量器件功率特性的一个重要指标。器件功率特性与击穿特性密切相关,击穿电压是制约在高压大功率电路中广泛应用的关键参数。为了使功率器件具有良好的功率特性,在设计中应该尽量提高击穿电压,因此器件的击穿特性成为目前研究的热点问题。

国内外研究现状

随着半导体工艺的不断发展以及对gan材料的深入研究，algan/gan器件在微波大功率方面取得很大的进步，但尽管如此，如何进一步提高algan/gan hemt器件的击穿电压仍然是个重要的问题。

如何提高algan/gan hemt的击穿电压，目前为止，有下几种途径：

2. 研究的基本内容

1）建立algan/gan hemt器件击穿电压模拟模型；

2）分析algan/gan hemt器件结构参数对击穿电压的影响；

3）分析场板对algan/gan hemt击穿电压的影响。

3. 实施方案、进度安排及预期效果

3月1-15日，完成绪论；

3月15-31日，完成第二章

4月1-20日，完成第三章

4. 参考文献

1. 吴铁峰, et al., 小尺寸应变si金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流预测模型. 物理学报, 2011. 60(2): p. 7.

2. yong, l., et al., on the reverse leakage current of schottky contacts on free-standing gan at high reverse biases. chinese physics b, 2017. 26(2): p. 027105.

3. padovani, f.a. and r. stratton, field and thermionic-field emission in schottky barriers. solid-state electronics, 1966. 9(7): p. 695-707.