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1. 研究目的与意义及国内外研究现状

题目：高二次电子发射系数的负电子亲和势半导体的二次电子发射

意义：负电子亲和势（nea）半导体意味着半导体的真空能级低于半导体表面的导带的最小值，这是一种非常罕见的特性。在nea下，导带中内二次电子由于表面没有势垒从而很容易从表面发射。由于电子在导带最小处(在微米范围内)的电子扩散长度比热电子的平均自由程大几个数量级(几纳米)，因此，负电子nea发射体的二次电子系数δ要远远高于正电子的亲和势。因此，nea半导体是一种优秀的二次电子发射体，广泛应用于电流放大器、真空管等。因此，nea半导体的一个重要课题。

国内外研究现状

二次电子发射一直作为重要的研究领域被广大科技工作者关注，国内外对二次电子进行了广泛的研究，主要集中在二次电子能谱和二次电子发射系数的研究，主要研究方法是monte carlo模拟、物理理论研究和实验研究，以下重点论述主要的研究进展。

2. 研究的基本内容

1. 二次电子发射系数及其应用

2. 二次电子发射系数的测量

3. 二次电子发射的主要过程和原电子射程

3. 实施方案、进度安排及预期效果

1. 调研研究的背景，查阅文献、资料弄清研究的方向

2. 与老师一同推导完成论文核心部分

3. 完成论文的各部分细节性修改并给老师审阅

4. 参考文献

[1]林祖伦，王小菊.阴极电子学[m].北京：国防工业出版社，2013：218-239.

[2]zha x, walker c, elgomati m. auger electron spectroscopy in high vacuum: nanocharacterisation in the scanning electron microscope[j]. journal of physics: conference series, 2014, 522(1)

[3]goldstein j, newbury d e, echlin p, joy d c, et al. scanning electron microscopy and x-ray microanalysis (plenum, new york, 2003): p. 88-97.