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1. 研究目的与意义及国内外研究现状

随着空间研究，扫描电子显微镜，等离子体物理，半导体物理和电子信息技术的发展，半导体和绝缘体（si）的二次电子发射（see）可以应用于越来越多的领域。

关于si 的see特征已经做了很多工作。

然而，由于si的see特征的极端复杂性，我们很难理解它们。

2. 研究的基本内容

本文介绍了三种计算微扰χ的方法，并分别给出了推导公式和相应计算参数 ，包括B和LiF的一些MSI的χ。计算表明，用这三种方法计算的χ≥0.5eV和 Eg≥0.6eV的MSI是正确的。据估算，与有效δms(χ, Eg)计算得χ的相比，误差小于17％，与δ_m(χ, E_g)的计算平均值中的χ的比较，误差约5.7％。

B(χ_real, E_g)和λ(χ_real, E_g)_s的影响，因此，定量研究真空度变化对χ_real，B(χ_real, E_g)和λ(χ_real, E_g)_s的影响是有必要的。根据本文得到的 E_poms(χ_real, E_g)，B(χ_real, E_g) 和λ(χ_real, E_g)_s公式，计算分析了真空度变化对χ_real，B(χ_real, E_g)和λ(χ_real, E_g)_s的定量影响。研究表明，此方法是正确且合理的。

3. 实施方案、进度安排及预期效果

推导了单晶半导体和绝缘体（msi）分别在χ≥0.6ev且eg≥0.6 ev条件下的δ_ms(χ_,e_g) e_poms(χ, e_g), b(χ, e_g)与 λ(χ, e_g)_s的公式，并证明了公式的正确性；其中δ_ms(χ_,e_g) 是msi的最大二次电子系数，χ为原始电子亲和势，e_g为禁带宽度，e_poms(χ, e_g) 是对应于δ_ms(χ_,e_g) 的主要入射能量， b(χ, e_g)是内部二次电子在到达msi表面时逃逸到真空中的概率， λ(χ, e_g)_s是msi发射的二次电子的平均逃逸深度。

分别给出了用推导的δ_ms(χ_,e_g) 公式计算χ和用e_poms(χ, e_g) 推导公式计算χ的方法。

结果表明，用这两种方法计算的最小均方误差(χ)分别为χ≥0.6ev和 eg≥0.6ev是正确的。

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