一维硅纳米线是重要的纳米光电材料之一。

由 于尺寸的减小，硅纳米线出现了量子限域效应、 非定域量子相干效应、非线性光学效应及库仑 阻塞效应，并表现出了不同于体硅的性质，如较好的 光致发光性能、场发射特性以及较低的热传导 率等。

硅纳米线的这些特殊性质，使其在微/纳光电子器件中具有巨大的应用价值。

近年来，为制备有序的 SiNWs 阵列，研究者先 后开发出多种制备方法，这些方法大体上可分为两 类 : ”自下而上 ( bottom-up) ”和”自上而下 ( topdown) ”。

前者是从原子或分子出发控制组装成 SiNWs 阵列; 而后者则是从体硅( 硅片) 出发，经化 学刻蚀制得。

利用双氧水溶液对硅片表面进行预氧化处理，并用改良的RCA 法清洗硅片，结合金属辅助化学刻蚀( MACE) 制备硅纳米线阵列( SiNWs) 。

:预氧化清洗相较于传统 ＲCA 清洗，能够降低硅片表面微粗糙度，同时 提高后续制备的硅纳米线阵列的均匀性。

此外，在300 ～800 nm 波段，当硅纳米线的长度相近时，经预氧化清洗制 备的硅纳米线阵列反射率降低，当硅纳米线长度为500 nm 左右时，反射率降低值大于 2.4%。

但目前的去除Ag纳米颗粒的方法依旧比较单一，只是采用浓硝酸去除