Si掺杂LaTiO2N对其光电催化性能的影响 一、前言 如今，能源的生产方法多种多样，利用半导体材料和太阳能催化水的分解就是其中之一。

通过半导体光电催化，可以实现对太阳能的高效利用和存储。

其中，具有可见光响应的半导体材料LaTiO2N是很有潜力的材料。

Si掺杂LaTiO2N，可以提高其晶格畸变程度，从而提高光生载流子的分离能力，以提高能量转化效率。

这种方法的优点在于干净清洁，可以减少人类对化石燃料的需求，从而减少二氧化碳等气体的排放。

所以，对这种材料的优化可以更好地提高光电催化效率，从而达到保护环境节约能源的目的。

二、正文 (1)材料介绍 LaTiO2N是一种钙钛矿型氧氮化物。

一般钙钛矿型氧氮化物表示为AB(O，N)3(其中A为La、Ca、Sr或Ba，B为Ti、Ta或Nb)，AB(O，N)3的带隙可以通过改变A与B两种成分比例来调节。

[1]钙钛矿型氧氮化物LaTiO2N就是一种可以在可见光条件下光催化分解水的一种n型半导体材料。

与TiO2等二元氧化物相比，他的化学和结构的灵活性允许调节电子能带结构以减少带隙，从而使光的吸收范围涵盖从紫外部分到太阳光谱的可见光部分。