1. 毕业设计（论文）主要内容：

忆阻器，全称记忆电阻(memristor)。它是一种有记忆功能的非线性电阻，可以记忆流经它的电荷数量，也可以通过控制电流的变化改变其阻值，而且这种变化在断电时还能继续保持，这使得忆阻器成为天然的非挥发性存储器。忆阻的出现将使集成电路元件变得更小，而且拥有可以模拟复杂的人脑神经功能的超级能力，对于人工神经网络的设计有巨大的推动作用。深度学习是机器学习研究中的一个新的领域，其动机在于建立、模拟人脑进行分析学习的神经网络，它模仿人脑的机制来解释数据，例如图像，声音和文本。对深度学习网络进行裁剪是对网络的优化，使得网络具有更快的速度和更高的准确性。具体内容如下：

1、忆阻器的概念、特性及数学模型的研究；

2、深度学习网络的概念与研究；

2. 毕业设计（论文）主要任务及要求

1. 通过本课题的训练，培养学生动手能力、分析问题及解决问题的能力；

2. 翻译与本课题相关的英文资料（不少于3000中文字符）；

3. 查阅文献资料，撰写开题报告（不少于5000中文字符）；

3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排

1-2周，完成开题报告和文献翻译，完成开题答辩；

3-4周，学习忆阻器的概念、特性及数学模型；

5-7周，学习深度学习网络的相关知识；

4. 主要参考文献

[1] d. b. strukov,g. s. snider, d. r. stewart, and r. s. williams, “the missing memristor found,”nature, 453, 80–83 (2008).

[2] l. o. chua,“memristor—the missing circuit element,” ieee trans. circuit theory, vol.ct-18, no. 5, pp. 507–519, sep. 1971.

[3] chris yakopcic,md zahangir alom, and tarek m. taha, “memristor crossbar deep networkimplementation based on a convolutional neural network,” international jointconference on neural networks , 2016