1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

文 献 综 述1.研究背景集成电路中,以互连材料作为引线,使芯片内各个独立的元器件连接成为具有一定功能的电路模块,即为互连技术[1]。

一直以来，在半导体技术领域都是用al作为互连材料[2,3]。

但近年来由于大规模集成电路的发展，al基互联材料已经不能满足需要，cu由于其良好的导电性、高的导热系数、较高的抗电迁移能力而受到关注[1]。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本课题采用直流多靶磁控溅射镀膜技术，在单晶硅片上依次溅射nbmotaw和cu，并通过不同的退火温度处理，对各个退火温度阶段的样品进行表面及结构的分析，如xrd、sem、tem等等，探究一定厚度的nbmotaw阻挡层能阻挡铜和硅之间相互扩散的最高温度。

以解决互联技术中cu-si相互扩散反应形成化合物从而导致的器件失效问题1.本课题拟采用的研究手段及预期目标（1）学习磁控溅射基础知识的学习和仪器的使用，选择合适的溅射功率和气压等工艺参数。

（2）结合现代分析技术，如xrd、sem和tem等，初步探讨表面铜薄膜的晶粒尺寸、整个体系的结构与退火温度的关系，并分析其带来的性能的变化。